闪存3.0和2.1之间的区别有多大？性能更高，能耗反而更低

闪存规格UFS 3.0是UFS 2.1的升级版本。相比之下，在性能、功耗方面都有很大的区别。下面就从这两个方面来详细了解一下。

1、性能区别

UFS 2.1是在UFS 2.0版标准的基础上做了小范围的改动。主要是强化了存储的安全性，比如CPU侧的硬加密功能等。接口速率方面，在实际测试中，顺序读取速度约500MBps，双通道可以达到800MBps。随机读取的速度约120MBps，双通道可以达到170MBps。

UFS 3.0是UFS 2.1标准的基础上做了大版本的改动，速率有很大提升。在实际测试中，顺序读取速度约为1.48GBps，双通道可以达到2.9GBps，基本是2.1版本的3倍。随机读取速度约150MBps，双通道可以达到220MBps，这里和2.1版区别不大。

2、功耗区别

在功耗方面，UFS 3.0采用了全新的NAND存储器。芯片的供电电压相比UFS 2.1降低了不少。

给闪存颗粒供电的VCC电源从2.9V降到了2.5V。给主控供电的VCCQ从1.8V降到了1.2V。

而接口电压降低了，在同样电流的情况下，功耗直接就降低了。同时，芯片功耗的降低，芯片的发热也就减少了，发热减小又间接降低了功耗。根据实际测试发现。

UFS3.0每GB顺序读取功耗比UFS2.1降低了60%UFS3.0每GB顺序写入功耗比UFS2.1降低了48%

总结

UFS 3.0是2.1的升级后的新的标准。顺序读写性能提高了2倍有余，随机读写相差不大。得益于新的NAND存储芯片，UFS 3.0电压降低不少，功耗下降也不少。